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快粼光电400G/Lane MUTC-PD首发,交出3.2T光模块接收端“新解法”

AI总结:快粼光电在CIOE 2026首次展出单波400G InP基MUTC-PD芯片,采用修正型UTC结构提升带宽、响应度及光功率稳定性,适配3.2T光模块需求。产品已完成关键技术验证,正推进量产工艺导入。展会同时展示波导型PD芯片及封装模组,获产业链多方关注。公司将持续推动高速光电探测技术在AI数据中心等领域的应用。

9月9日,在第27届中国国际光电博览会(CIOE 2026)现场,上海快粼光电科技有限公司(以下简称“快粼光电”)正式发布并首次公开展出单波400G InP基MUTC-PD芯片样品,面向3.2T高速光模块及下一代高速光互连架构提供接收端核心器件方案。

此次展出的MUTC-PD采用背照式耦合设计,并在芯片背部集成微透镜,在提升光耦合能力的同时,兼顾大带宽、高响应度、低暗电流和高光功率承载能力,精准对应下一代高速光互连对接收端核心器件的综合性能需求。该产品的首次展出,标志着快粼光电正在将超高速光电探测器领域的技术积累进一步推向工程化和产品化。

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(产品展示实拍图)

单波400G加速演进,接收端性能面临综合挑战

随着AI算力集群持续扩张,光互连正在由单波100G、200G进一步向400Gbps/Lane演进。面向3.2T及更高速率的光模块,接收端不仅需要更高带宽,也需要在响应度、暗电流、线性度和不同入射光功率下的性能稳定性之间取得平衡。

传统PIN-PD在较高入射光功率下容易出现性能劣化;UTC结构虽然改善了高速和高功率性能,但不同光强下的性能波动仍是实际应用中需要解决的问题。

针对这一挑战,快粼光电采用自主设计的修正型UTC结构,即MUTC。通过对器件内部载流子输运过程的优化,使PD能够在更宽的入射光功率范围内保持稳定的带宽和频率响应。

这意味着,快粼光电此次发布的MUTC-PD不仅追求单一测试条件下的高性能,更关注器件在实际接收链路中面对不同输入光功率时的稳定表现,从而为下一代高速光互连提供更好的线性度、动态范围和系统性能裕量。

结合背照式耦合与背部集成微透镜,该产品也进一步提升了光耦合能力和封装适配性,为单波400G接收端提供完整的芯片级解决方案。

此次CIOE,快粼光电除首次展出的单波400G MUTC-PD芯片样品外,还展出了围绕MUTC-PD研发布局的波导型PD芯片以及高性能封装系列模组,展示了快粼光电在超高速光电探测芯片及模组领域的完整技术布局。

展会盛况

展会期间,快粼光电展位吸引了来自光通信产业链上下游的多家企业与机构到访交流,包括光模块厂商、数据中心与云计算服务商、AI算力基础设施企业,以及高速光电芯片、封装测试和高端仪器领域的合作伙伴。

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(现场交流)

多家企业技术负责人与快粼光电团队围绕400Gbps/Lane接收端性能需求,下一代光互连发展方向进行了深入交流,并对修正型UTC结构、波导型PD及高频封装模组展现出高度关注与认可。

未来,快粼光电将继续聚焦高速、高功率III-V族光电探测芯片及模组,推动自主超高速光电探测技术在AI数据中心、高速光通信、高端光电测试及微波太赫兹等领域的应用。

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