长飞先进启动IPO

10月11日，张通社获悉，安徽长飞先进半导体股份有限公司（以下简称：长飞先进）召开IPO项目启动会，正式进入资本市场筹备阶段。这家由长飞光纤投资布局的第三代半导体企业，在完成超38亿元A轮融资两年多后，正式叩响资本市场的大门。

长飞先进的前身是芜湖启迪半导体，2022年5月由长飞光纤完成收购重组后更名成立，形成了从设计、外延、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。公司专注碳化硅功率半导体产品的研发与制造，产品覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。

长飞先进的资本化路径，始于一场并购重组。

2022年5月，长飞光纤完成对芜湖启迪半导体及芜湖太赫兹工程中心的收购与整合，将公司更名为安徽长飞先进半导体有限公司。重组完成后，长飞先进在短时间内引进了近百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员，平均拥有15年以上行业经验，并启动从“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型。

2023年6月，长飞先进完成超38亿元A轮股权融资，创下国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最，投后估值达152亿元。投资方阵容涵盖光谷金控、浙江国改基金、中平资本、中建材新材料产业基金、中金资本旗下基金、海通并购基金、国元金控集团旗下基金、鲁信创投、东风资产、建信信托等，涵盖地方国资、产业资本和市场化机构；老股东长飞光纤、天兴资本等持续追加。

这轮融资完成后，长飞光纤直接持有的长飞先进股权由30.05%摊薄至22.90%，不再有权提名大多数董事会成员，长飞先进由此不再纳入长飞光纤合并报表范围，转为联营企业核算。

2026年2月，长飞先进完成超10亿元A+轮融资，由江城基金、长江产业集团领投，光谷金控、奇瑞旗下芯车智联基金等参投，资金主要用于碳化硅功率半导体全产业链技术布局。奇瑞旗下产业基金的入局，为长飞先进在车规级碳化硅芯片的客户验证和量产导入提供了产业协同的通道。

产能布局是长飞先进本轮资本化的核心支撑。

公司目前在芜湖和武汉布局两大碳化硅生产基地，合计具备42万片/年的晶圆及外延产能规模。其中，芜湖基地已具备年产6万片SiC MOSFET晶圆制造能力，产线已实现满产；武汉基地规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆，2025年5月首片晶圆正式下线，首款芯片良率达97%，目前仍处于产能爬坡阶段。

武汉基地总投资超200亿元，占地498亩，其中一期占地344亩，达产后将具备年产36万片外延、36万片6英寸碳化硅晶圆、6100万个碳化硅功率模块的制造能力。基地已全线配备6/8英寸兼容设备，对标国际碳化硅器件大厂，并建成碳化硅行业第一家全自动化天车搬运工厂。长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹介绍，该基地达产后每年可为144万辆新能源车供应碳化硅芯片。

从产能爬坡节奏看，武汉基地目前每月可生产5000至7000片6英寸碳化硅晶圆，预计年底爬坡至3500片/月。武汉晶圆厂总经理李刚此前透露，基地已与全球头部车企广泛合作，共有近10款碳化硅芯片正在验证，未来数月将开启量产交付。

长飞先进的技术竞争力，体现在其从晶圆代工向IDM模式转型的完整产业链能力上。

公司已形成从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的完整产业链布局，拥有自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台。其15mohm产品比导通电阻已达3.4mΩ·mm²，跻身国际先进水平。2023年12月，长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiC SBD正式进入试产阶段，标志着公司已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。

车规级认证方面，公司自主研发的1200V SiC MOSFET系列产品已通过AEC-Q101车规认证，采用完全自主知识产权的Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台，比导通电阻及栅极电荷均达国内领先水平。

在客户合作层面，长飞先进已与国内多家主流车企建立合作关系。2025年6月，公司与经纬恒润签署战略合作协议，联合开发高性能碳化硅功率模块，共同推进车规级测试认证及批量生产交付。目前，长飞先进的碳化硅模块已开始向两家一级供应商供货，上车在即。

长飞先进IPO筹备的时间节点，恰逢碳化硅功率器件行业的关键转折期。

根据市场调研机构Yole集团的数据，2025年全球碳化硅功率器件市场规模约37亿美元，预计到2030年将继续保持高速增长。汽车、光储、充电桩三大主力应用市场均处于高景气运行周期，对国产SiC MOSFET器件的需求持续快速增长。

行业供需格局正在发生结构性变化。2026年以来，碳化硅行业进入涨价上行周期，英飞凌、意法半导体等国际龙头率先启动调价，国内衬底、器件厂商同步跟进。碳化硅衬底制造环节占SiC功率器件总成本约47%，外延生长环节占比约23%，两者合计达70%，随着8英寸碳化硅晶圆技术逐步成熟，具备全产业链能力的企业将在成本竞争中占据优势。

国产替代的空间仍然广阔。当前国内新能源主驱领域的国产碳化硅芯片渗透率不足10%，存在巨大的进口替代空间。长飞先进凭借双基地布局形成的规模化优势、领先的自动化生产水平和接近国际一流的产品良率，已在国内碳化硅晶圆领域占据核心地位。

从2022年并购重组到2023年完成38亿元A轮融资，从武汉基地破土动工到首片晶圆下线，长飞先进用三年时间在碳化硅功率半导体赛道完成了从技术验证到产能落地的完整闭环。42万片/年的晶圆产能、AEC-Q101车规认证、近10款芯片进入车企验证流程，这些进展构成了公司启动IPO筹备的基本面支撑。

此次IPO启动，是长飞先进从一级市场走向公开市场的关键一步。A+轮融资引入奇瑞旗下产业基金、碳化硅模块开始向一级供应商供货、武汉基地产能持续爬坡，指向的是公司在车规级碳化硅芯片赛道上的商业化推进。

但从“产能爬坡”到“满产盈利”，从“技术验证”到“规模化交付”，中间还隔着客户导入周期、产能利用率提升和行业竞争格局演变的多重考验。长飞先进能否在资本市场的支持下，将双基地产能优势和IDM全产业链能力转化为穿越行业周期的持续盈利能力，值得持续关注。