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中天弘宇完成超亿元A轮融资

AI总结:中天弘宇完成超亿元A轮融资,投资方包括多家科技企业和知名半导体投资人陈大同。公司专注NOR Flash研发,突破技术瓶颈,首创"二次电子倍增注入浮栅"技术,适配28nm及以下工艺。首代8M产品出货超6亿颗,第二代28nm 2Gb产品即将量产,容量较初代提升256倍。全球NOR Flash市场预计2029年达42亿美元,公司高容量产品有望填补行业空白,推动技术迭代。

10月13日,张通社获悉,中天弘宇集成电路有限责任公司(简称:中天弘宇)近日完成超亿元A轮融资。新增投资方包括上海精典芯光电子有限公司、上海桢楷科技有限公司、长沙潇湘君行电子合伙企业(有限合伙)、会芯微(重庆)科技合伙企业(有限合伙)、康乃芯(上海)科技有限公司;知名半导体投资人陈大同持股99%的北京和光悟源信息咨询中心(有限合伙)亦参与本轮投资。

中天弘宇成立于2018年7月,总部位于上海浦东新区张江高科技园区,专注快闪存储器(NOR Flash)的研发、应用和市场推广,创始人张佳。公司以国际首创的“二次电子倍增注入浮栅”原理为基础,突破了二十多年来阻碍闪存技术缩微扩容的瓶颈,已在中国、日本、美国、韩国及中国台湾地区申请成体系发明专利,被称为全球范围内第三种实现存储单元电荷写入的技术路径。传统NOR Flash依赖热电子注入机制,制程微缩过程中面临浮栅耦合干扰加剧、电荷泄漏等难题;该技术利用二次电子倍增效应重构电荷注入物理过程,提升注入效率,在兼容标准NOR Flash接口的前提下适配逻辑工艺向下迭代,直击传统NOR难以走向28nm及以下先进节点的痛点。

在产品进展上,公司第一代8M NOR Flash存储产品累计出货量已突破6亿颗,在消费电子、物联网设备完成市场验证。第二代产品将工艺推进至28nm、单芯片容量达到2Gb,较初代实现256倍容量跃升;据公司发布的测试报告,第二次流片晶圆级中测已完成容量确认与基本读写擦功能验证,即将进入送测和量产阶段。公司新一代NOR闪存芯片容量覆盖256Mbit到4Gbit,数据保持时间20年、擦写寿命10万次,后续将向1X纳米及3D NOR方向发展。

行业背景方面,据Yole数据,2024年全球存储芯片市场中DRAM占比57%、NAND Flash占比40%,NOR Flash占比约1.7%,属利基市场。据行业研究,全球NOR Flash市场规模有望从2024年的28亿美元增长至2029年的42亿美元,数据中心、端侧AI和汽车电子为三大核心引擎。需求端,单台AI服务器对NOR Flash的需求量是传统服务器的3至5倍,单个服务器机架NOR器件数量已从过去的3至5颗增至30颗以上;TrendForce预测,高容量NOR产品价格2026年下半年预计再涨90%至110%。全球主流NOR Flash产品长期停留在512Mb容量上限,公司2Gb单芯片产品一旦量产,将成为全球兼容NOR Flash领域时隔21年首次容量级实质性迭代。

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