六方半导体完成超亿元C轮股权融资

10月17日，张通社获悉，浙江六方半导体科技有限公司（以下简称“六方半导体”）近日完成超亿元C轮股权融资，本轮由北京仓廪资本与诸暨产业投资集团有限公司联合出资。

六方半导体成立于2018年，位于浙江绍兴市，专注于半导体新材料的研发与生产，业务覆盖半导体长晶、外延、刻蚀等关键工艺环节，为下游客户提供核心材料及精密零部件解决方案。

公司掌握CVD‐SiC碳化硅材料合成核心技术，依托该技术推出导流桶、单晶硅外延托盘、LED芯片外延托盘、SiC聚焦环等产品，覆盖半导体产业链多个环节。

在碳化硅长晶原料制备方面，六方半导体采用气相法制备高纯碳化硅粉料，具备高纯度、高密度、低氮含量等特性。目前公司产品性能可对标海外同类产品，已逐步导入国内主流长晶厂商。同时，基于CVD-SiC核心技术，公司不断拓展高纯SiC材料的应用领域，包括高纯SiC原料及薄膜在光学，芯片散热，异构集成等领域的应用。

六方半导体成立之初聚焦碳化硅涂层芯片外延托盘的国产替代。经过持续研发，公司掌握了CVD-SiC涂层的量产设备及工艺的核心技术，实现了碳化硅涂层芯片外延托盘的国产替代。

在此基础上，公司进一步突破整体SiC生长制备及加工技术。整体SiC材料是半导体领域众多核心零部件基础材料，包括刻蚀工艺所需要聚焦环，RTP设备所需的边缘环等。

随着3D NAND向300层以上推进，刻蚀工艺所需步骤数从50步向100步以上增加。AI算力芯片扩产则进一步拉动了刻蚀设备装机数量，作为刻蚀设备的核心耗材，CVD-SiC刻蚀环的需求量随之大增。目前国内CVD-SiC聚焦环国产化率不足15%，7nm以下的先进制程所需的聚焦环国产化率不足5%。

六方半导体创始人何少龙博士牵头承担了“大尺寸超高纯碳化硅制备关键技术”国家重点研发计划，针对CVD-SiC快速沉积的科学问题以及高硬脆材料的高效加工技术难题展开科学攻关，最终实现国产替代和产业化。

公司创始人何少龙博士毕业于浙江大学物理系，曾先后在日本广岛大学、国立材料研究所开展研究，回国后任职于中科院物理所、宁波材料所，从事凝聚态物理研究，已在《Nature Materials》《Nature Communications》《Phys. Rev. Lett.》《PNAS》等国际期刊发表30余篇学术论文，多次受邀在美国March Meeting、日本半导体年会、香山会议等国内外顶级学术会议做特邀报告；现任国家重点研发计划首席科学家、浙江省级领军人才。

公司本轮融资资金将重点用于前沿新品研发及产能扩建，占地100亩的新厂房预计2026年12月正式投产。