新微半导体第二代700V氮化镓E-mode功率工艺平台正式发布

11月2日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）正式发布第二代700V氮化镓增强型（E-mode）功率工艺平台。该平台凭借低导通电阻、优异高频切换特性、高能效、小尺寸等核心优势，可实现更高功率密度与更优量产一致性，精准适配快充、AI服务器、新能源汽车、工业电源及DC-DC转换器等多领域高端功率应用需求，为客户提供高可靠、高性价比的代工工艺解决方案。

深耕化合物半导体领域多年，新微半导体始终以技术创新驱动特色工艺迭代。本次发布的工艺平台，采用公司自研GaN外延结构，通过关键结构优化与专属栅极、场板、钝化一体化等重要制造工艺升级，实现多项关键性能突破：特色工艺可有效抑制高压下电场集中效应，显著提升器件抗电流崩塌能力，保障长期高可靠性；外延优化提升了器件的栅极可靠性，拓宽高压器件安全工作区（SOA），提升了器件大电流大功率应用能力；同时，该平台器件单位面积导通电阻较上一代工艺平台缩减约40%，显著缩小芯片整体面积，大幅提升单晶圆裸芯片产出量，核心优值系数（FOM）同步实现大幅提升，可满足高端功率应用成本要求。

当前全球绿色低碳与产业数字化转型加速，高效电源管理技术已成为电子产业升级的核心支撑，氮化镓作为新一代高效功率半导体材料，市场需求持续攀升。目前，新微半导体已构建起覆盖 40V-700V 全电压段的氮化镓功率工艺矩阵。此次第二代 700V E-mode 氮化镓功率工艺平台的推出，实现了高效可靠性能与规模化量产一致性的双重兼顾，升级了公司高压 GaN 特色工艺布局。未来，新微半导体将持续聚焦化合物半导体代工核心赛道，深化技术研发与制造创新，不断拓展更先进的氮化镓功率工艺方案，依托成熟产线良率管控体系与工程技术团队，以专业的晶圆代工能力助力客户缩短产品上市周期、提升市场竞争力，共同推动全球功率电子产业向高效、节能、小型化方向升级。