常曜电子完成数千万元融资

11月3日，张通社获悉，上海常曜电子有限公司（简称：常曜电子）完成首轮数千万元股权融资，本轮融资由誉道创投投资。融资资金将重点用于嵌埋式封装产线建设、团队扩充及业务开发，推动核心技术研发与产品产业化。

常曜电子成立于2023年11月，位于上海市静安区，专注于下一代功率半导体与先进封装技术，以IGBT、SiC及GaN功率器件与模块为基础，推进GPU电压调节模块（VRM）、SST专用嵌埋式功率模块及固态断路器等方向的研发，面向新能源汽车、储能、工业电源及AI数据中心等应用领域，提供高效率、高功率密度的电能转换与供电解决方案。

EPM嵌埋式封装是常曜电子的核心技术方向。通过将芯片嵌入多层基板，采用铜柱与平面互联替代传统键合线，可极大缩短电流路径、降低寄生电感，并为紧凑集成与热管理提供更大的设计空间，支持功率模块向高频化、小型化和高效率发展。围绕AI算力基础设施的供电需求，公司正推进从前端电能转换到GPU末端供电的相关产品研发：在GPU供电领域，围绕高频GaN功率转换与EPM嵌埋封装开展技术开发，计划于2026—2027年开展GPU VRM工程样品开发与验证，以适应下一代GPU对低电压、大电流及快速动态响应的供电需求；在SST领域，正在推进SST专用嵌埋式功率模块研发，将EPM技术与SST高频功率变换需求相结合，围绕低寄生互连、紧凑集成与热管理开展设计和验证，预计于2027年第一季度推出样品；此外公司也在开展固态断路器相关研发，进一步拓展功率半导体技术在电力保护领域的应用。

据誉道创投相关负责人表示，随着AI算力基础设施与新型能源系统持续发展，高效率、高功率密度的电能转换与快速、可靠的电力保护正在成为重要的产业需求，看好先进功率半导体与封装技术的长期价值，也关注常曜电子围绕EPM嵌埋式封装形成的技术积累，以及在GPU供电、SST和固态断路器等方向的研发布局，期待通过本轮投资支持公司推进中试能力建设与产品工程验证。常曜电子创始人、董事长陈国玉表示，本轮融资为公司核心技术研发和产业化能力建设提供了有力支持，公司将以嵌埋式封装产线建设为重点，进一步完善工艺开发、样品试制与可靠性验证能力，扎实推进GPU VRM、SST专用嵌埋式功率模块及固态断路器等方向的研发工作，并持续加强团队建设与客户协同，逐步将技术积累转化为稳定、可靠的产品与交付能力。