普思半导体完成近亿元B轮融资

11月11日，张通社获悉，国产碳化硅（SiC）功率模块厂商利无锡利普思半导体有限公司（以下简称“普思半导体”）近日完成近亿元B轮融资，新投资方为上海新微资本。本轮资金将主要用于加大AIDC相关产品研发和全球市场推广。

普思半导体成立于2019年11月，总部位于江苏无锡，是一家专注于第三代半导体碳化硅功率模块研发、制造及销售的企业，致力于为高压、大电流等应用场景提供高功率密度、高可靠性的功率模块及相关解决方案。

随着AI数据中心向800V HVDC架构升级，新能源汽车的800V高压平台普及，以及光储充对能量转换效率的要求不断提高，碳化硅在高压、高频、高温等用电场景中的应用价值日益凸显。相较于传统硅基器件，碳化硅具有更高的开关频率、更高的击穿电场强度、更低的开关损耗、更高的转换效率，正成为能源基础设施升级和算力建设的重要基础材料之一。

据Yole Group数据，2024年全球碳化硅功率器件市场规模约为34亿美元，预计到2030年将接近100亿美元，年复合增长率约为20.3%。国内方面，2024年中国第三代半导体功率电子市场规模约176亿元，涵盖以碳化硅为主的SiC、GaN器件；预计到2029年将超过460亿元。

利普思董事长兼CEO丁烜明介绍称，基于行业需求的增长，2026下半年以来，公司经营业绩同比去年增长幅度超过50%，新合作客户超30家，尤其在固态变压器和固态断路器的产品方面达成战略合作超10家。

丁烜明表示，技术优势上，利普思已经建立起一整套自主SiC模块正向设计体系，是国内首家采用自主高导热环氧灌封方案的SiC功率模块厂商，并在降低模块杂感和损耗、提高模块的耐高温、耐高压特性、提高循环功率寿命拥有多项自主知识产权。

目前，利普思的产品已广泛应用于电动重卡、工程机械、船舶、低空飞行器等高压电驱系统，以及超充、风电光储、固态变压器（SST）、固态断路器（SSCB）、变频器和轨交电源等场景。

既有应用之外，AIDC正成为利普思重点布局的新市场。利普思已有多款1200V至3300V的SiC功率模组面向AIDC相关应用开展客户送样，部分项目进入可靠性验证阶段，相关产品有望于2027年迎来较为明显的放量。

除AIDC市场外，利普思也在推进下一代功率模块的封装技术创新。在今年6月德国PCIM展会上，公司发布了PCB嵌入式SiC模块新方案，将芯片直接嵌入PCB板内，旨在优化电气连接、降低系统杂散电感，并提升系统集成度。围绕这一方向，公司也在探索相关技术在电源领域的应用。

全球化布局是利普思的另一项业务基础。丁烜明告诉硬氪，公司已建立覆盖中国、日韩和欧洲、北美的研发及市场网络，在无锡、上海、深圳和日本设有研发中心，并在欧洲设立海外销售中心。公司核心技术团队成员来自蔚来、三菱、东芝、英飞凌、安森美等企业，具备功率半导体研发、产品应用及国际市场拓展经验。目前，公司海外营收已占比接近一半。

产能布局方面，目前利普思正在加速建设其扬州车规级功率半导体模块工厂。该工厂预计2027年4月完成通线投产。达产后预计年产能150万只SiC模块。届时，利普思无锡工厂和扬州工厂将达到年产220万只SiC的产能规模，为正在到来的第三代功率半导体需求爆发做准备。